內存常見術語有哪些

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 　　內存常見術語的具體分析介紹：

　　BANK：BANK是指內存插槽的計算單位(也有人稱為記憶庫)，它是計算機系統與內存間資料匯流的基本運作單位。

　　內存的速度：內存的速度是以每筆CPU與內存間數據處理耗費的時間來計算，為總線循環(bus cycle)以奈秒(ns)為單位。

　　內存模塊 (Memory Module)：提到內存模塊是指一個印刷電路板表面上有鑲嵌數個記憶體芯片chips，而這內存芯片通常是 DRAM芯片，但近來系統設計也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內存模塊上內存模塊是安裝在PC 的主機板上的專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上 DRAM芯片(chips)的數量和個別芯片(chips)的容量，是決定內存模塊的設計的主要因素。

　　SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數目不等的記憶IC，可分為以下2種型態：

　　72PIN：72腳位的單面內存模塊是用來支持32位的數據處理量。

　　30PIN：30腳位的單面內存模塊是用來支持8位的數據處理量。

　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：(168PIN) 用來支持64位或是更寬的總線，而且只用3.3伏特的電壓，通常用在64位的桌上型計算機或是服務器。

　　RIMM：RIMM模塊是下一世代的內存模塊主要規格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片組所支持的內存模塊，其頻寬高達1.6Gbyte/sec。

　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN)： 這是一種改良型的DIMM模塊，比一般的DIMM模塊來得小，應用于筆記型計算機、列表機、傳真機或是各種終端機等。

　　PLL： 為鎖相回路，用來統一整合時脈訊號，使內存能正確的存取資料。

　　Rambus 內存模塊 (184PIN)： 采用Direct RDRAM的內存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料的輸出方式為串行，與現行使用的DIMM模塊168pin，并列輸出的架構有很大的差異。

　　6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指的是電路印刷板PCB Printed Circuit Board 用6層或4層的玻璃纖維做成，通常SDRAM會使用6層板，雖然會增加PCB的成本但卻可免除噪聲的干擾，而4層板雖可降低PCB的成本但效能較差。

　　Register：是緩存器的意思，其功能是能夠在高速下達到同步的目的。

　　SPD：為Serial Presence Detect 的縮寫，它是燒錄在EEPROM內的碼，以往開機時BIOS必須偵測memory，但有了SPD就不必再去作偵測的動作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內存的相關資料。

　　Parity和ECC的比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯碼 (error detection codes)上，他們增加一個檢查位給每個資料的字元(或字節)，并且能夠偵測到一個字符中所有奇(偶)同位的錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，并不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤。

　　緩沖器和無緩沖器(Buffer V.S. Unbuffer)：有緩沖器的DIMM 是用來改善時序(timing)問題的一種方法無緩沖器的DIMM雖然可被設計用于系統上，但它只能支援四條DIMM。若將無緩沖器的DIMM用于速度為100Mhz的主機板上的話，將會有存取不良的影響。而有緩沖器的DIMM則可使用四條以上的內存，但是若使用的緩沖器速度不夠快的話會影響其執行效果。換言之，有緩沖器的DIMM雖有速度變慢之虞，但它可以支持更多DIMM的使用。

　　自我充電 (Self-Refresh)：DRAM內部具有獨立且內建的充電電路于一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型計算機或可攜式計算機等的省電需求高的計算機。

　　預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。例如CL=3，表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能并無顯著影響。

　　時鐘信號 (Clock)：時鐘信號是提供給同步內存做訊號同步之用，同步記憶體的存取動作必需與時鐘信號同步。